文献
J-GLOBAL ID:201102223253894783
整理番号:11A1393942
応力/歪走査型電界顕微鏡法によるSi(001)の表面再構築のその場観察
In situ Observation of Surface Reconstruction of Si(001) with Stress/Strain Field Scanning Probe Microscopy
著者 (2件):
HONGXUAN Guo
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
FUJITA Daisuke
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
8,Issue 4
ページ:
08LB04.1-08LB04.4
発行年:
2011年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)