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文献
J-GLOBAL ID：201102223685067985
整理番号：11A1159939
トランジスタ性能に及ぼす信頼性ある単一原子ドーピング及び離散ドーパント効果
Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance
SHINADA Takahiro
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
HORI Masahiro
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ONO Yukinori
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
TAIRA Keigo
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
KOMATSUBARA Akira
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
TANII Takashi
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ENDOH Tetsuo
(Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
,
OHDOMARI Iwao
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010 ページ： 592-595 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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