文献
J-GLOBAL ID:201102224913080365
整理番号:11A1859274
ITO電極の酸素がHfO2MOSキャパシタのフラットバンド電圧へ及ぼす影響
著者 (6件):
山田博之
(芝浦工大 大学院)
,
生田目俊秀
(物質・材料研究機構)
,
木村将之
(芝浦工大 大学院)
,
大井暁彦
(物質・材料研究機構)
,
知京豊裕
(物質・材料研究機構)
,
大石知司
(芝浦工大)
資料名:
日本金属学会講演概要(CD-ROM)
(Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻:
149th
ページ:
ROMBUNNO.POSUTASESSHON,167
発行年:
2011年10月20日
JST資料番号:
S0988B
ISSN:
2433-3093
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)