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文献
J-GLOBAL ID：201102225486791979
整理番号：11A1057968
Gaを添加したp型Mg2SiおよびMg2Si0.6Ge0.4化合物の熱電特性と電子構造
Thermoelectric properties and electronic structure of p-type Mg2Si and Mg2Si0.6Ge0.4 compounds doped with Ga
IHOU-MOUKO H.
(Inst. Jean Lamour (I.J.L.) - UMR 7198 - Nancy-Universite, Ecole Nationale des Mines de Nancy, Parc de Saurupt, F ...)
,
MERCIER C.
(Inst. Jean Lamour (I.J.L.) - UMR 7198 - Nancy-Universite, Ecole Nationale des Mines de Nancy, Parc de Saurupt, F ...)
,
TOBOLA J.
(Fac. of Physics and Applied Computer Sci., AGH Univ. of Sci. and Technol., Al. Mickiewicza 30, 30-059 Cracow, POL)
,
PONT G.
(Centre National d’Etudes Spatiales (CNES), 18 avenue Edouard Belin, 31401 Toulouse Cedex 09, FRA)
,
SCHERRER H.
(Inst. Jean Lamour (I.J.L.) - UMR 7198 - Nancy-Universite, Ecole Nationale des Mines de Nancy, Parc de Saurupt, F ...)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 509 号： 23 ページ： 6503-6508 発行年： 2011年06月09日
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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