文献
J-GLOBAL ID:201102225559287891
整理番号:11A1180032
次世代1700VトレンチゲートFS-IGBTの開発
Development of the next generation 1700V trench-gate FS-IGBT
著者 (5件):
ONOZAWA Y.
(Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
OZAKI D.
(Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
NAKANO H.
(Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
YAMAZAKI T.
(Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
FUJISHIMA N.
(Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
23rd
ページ:
52-55
発行年:
2011年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)