文献
J-GLOBAL ID:201102226365637731
整理番号:11A0967193
多量の不純物を含む補償されたソーラーグレードシリコンウエハおよび太陽電池の電子特性
Electronic properties of highly-doped and compensated solar-grade silicon wafers and solar cells
著者 (5件):
VEIRMAN J.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377, Le Bourget du Lac, FRA)
,
DUBOIS S.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377, Le Bourget du Lac, FRA)
,
ENJALBERT N.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377, Le Bourget du Lac, FRA)
,
GARANDET J.-p.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377, Le Bourget du Lac, FRA)
,
LEMITI M.
(Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, Univ. of Lyon, INSA-Lyon, 20 rue Albert Einstein, 69621 ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
109
号:
10
ページ:
103711
発行年:
2011年05月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)