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文献
J-GLOBAL ID：201102227262908350
整理番号：11A0825286
Pt/CoSiOX/TiN構造をもつRRAM素子における酸化還元反応スイッチング機構
Redox Reaction Switching Mechanism in RRAM Device With Pt/CoSiOX/TiN Structure
SYU Yong-En
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
TSAI Tsung-Ming
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
HUNG Ya-Chi
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Kuan-Chang
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
TSAI Ming-Jinn
(ITRI, Hsinchu, TWN)
,
KAO Ming-Jer
(ITRI, Hsinchu, TWN)
,
SZE Simon M.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 32 号： 4 ページ： 545-547 発行年： 2011年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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