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文献
J-GLOBAL ID：201102227688860053
整理番号：11A1301717
非融解エキシマレーザアニーリングによる浅いp+/n接合の形成時のシリコン中でのホウ素の拡散挙動
Boron diffusion behavior in silicon during shallow p+/n junction formation by non-melt excimer laser annealing
AID Siti Rahmah
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
,
MATSUMOTO Satoru
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
,
FUSE Genshu
(SEN Corp., Tokyo, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 208 号： 7 ページ： 1646-1651 発行年： 2011年07月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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