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文献
J-GLOBAL ID：201102229653345094
整理番号：11A1353892
歪み型Si1-xGex/Siヘテロ接合中漏洩電流へのGe成分と埋設深さの影響
Impact of Ge Content and Recess Depth on the Leakage Current in Strained Si1-xGex/Si Heterojunctions
LUQUE RODRIGUEZ Abraham
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
LUQUE RODRIGUEZ Abraham
(Universidad de Granada, Granada, ESP)
,
BARGALLO GONZALEZ Mireia
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
BARGALLO GONZALEZ Mireia
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
,
ENEMAN Geert
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
ENEMAN Geert
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
,
ENEMAN Geert
(Fonds Wetenschappelijk Onderzoek-Vlaanderen, Brussels, BEL)
,
CLAEYS Cor
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
CLAEYS Cor
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
,
KOBAYASHI Daisuke
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
KOBAYASHI Daisuke
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
,
KOBAYASHI Daisuke
(Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, JPN)
,
SIMOEN Eddy
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
JIMENEZ TEJADA Juan A.
(Universidad de Granada, Granada, ESP)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58 号： 8 ページ： 2362-2370 発行年： 2011年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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