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文献
J-GLOBAL ID：201102231581193167
整理番号：11A1375235
カルコゲン過飽和珪素フォトダイオードの拡大した赤外線応答と利得
Extended infrared photoresponse and gain in chalcogen-supersaturated silicon photodiodes
SAID Aurore J.
(Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
,
RECHT Daniel
(Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
,
SULLIVAN Joseph T.
(Dep. of Mechanical Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
WARRENDER Jeffrey M.
(ARDEC, Benet Laboratories, Watervliet Arsenal, New York 12189, USA)
,
BUONASSISI Tonio
(Dep. of Mechanical Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
PERSANS Peter D.
(Dep. of Physics and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York 12180, USA)
,
AZIZ Michael J.
(Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 99 号： 7 ページ： 073503 発行年： 2011年08月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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