文献
J-GLOBAL ID:201102231685598525
整理番号:11A1159865
炭化ケイ素ベースパワー素子
Silicon Carbide Based Power Devices
著者 (2件):
OESTLING Mikael
(KTH Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
,
OESTLING Mikael
(TranSiC AB)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2010
ページ:
316-319
発行年:
2010年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)