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文献
J-GLOBAL ID：201102231863293199
整理番号：11A1594682
低圧有機金属気相エピタクシーによる高品質SiドープAlGaNの成長
Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
SHIMAHARA Yuki
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
MIYAKE Hideto
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
HIRAMATSU Kazumasa
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
FUKUYO Fumitsugu
(Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN)
,
OKADA Tomoyuki
(Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN)
,
TAKAOKA Hidetsugu
(Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN)
,
YOSHIDA Harumasa
(Hamamatsu Photonics K.K., Shizuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 9,Issue 1 ページ： 095502.1-095502.4 発行年： 2011年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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