文献
J-GLOBAL ID:201102231994749970
整理番号:11A0637678
低Al含量のAlxGa1-xN/GaNヘテロ構造の電気特性
Electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures with low Al content
著者 (12件):
KOEHLER K.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
MUELLER S.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
WALTEREIT P.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
PLETSCHEN W.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
POLYAKOV V.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
LIM T.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
KIRSTE L.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
MENNER H. P.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
BRUECKNER P.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
AMBACHER O.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
BUCHHEIM C.
(Technische Universitaet Ilmenau, Inst. fuer Mikro- und Nanotechnologien, PF 100565, 98684 Ilmenau, DEU)
,
GOLDHAHN R.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
109
号:
5
ページ:
053705
発行年:
2011年03月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)