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J-GLOBAL ID:201102231994749970   整理番号:11A0637678

低Al含量のAlxGa1-xN/GaNヘテロ構造の電気特性

Electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures with low Al content
著者 (12件):
KOEHLER K.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
MUELLER S.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
WALTEREIT P.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
PLETSCHEN W.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
POLYAKOV V.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
LIM T.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
KIRSTE L.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
MENNER H. P.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
BRUECKNER P.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
AMBACHER O.
(Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
BUCHHEIM C.
(Technische Universitaet Ilmenau, Inst. fuer Mikro- und Nanotechnologien, PF 100565, 98684 Ilmenau, DEU)
GOLDHAHN R.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, DEU)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 109  号:ページ: 053705  発行年: 2011年03月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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