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文献
J-GLOBAL ID：201102232076389207
整理番号：11A1442253
Si(111)上に成長した高品質InAsおよびGaSb薄膜
High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si (111)
GORJI GHALAMESTANI Sepideh
(Solid State Physics Lund Univ., Box 118, SE-22100 Lund, SWE)
,
BERG Martin
(Electrical and Information Technologies, Box 118, SE-22100 Lund, SWE)
,
DICK Kimberly A.
(Solid State Physics Lund Univ., Box 118, SE-22100 Lund, SWE)
,
DICK Kimberly A.
(Polymer and Materials Chemistry, Lund Univ., Box 124, SE-22100 Lund, SWE)
,
WERNERSSON Lars-erik
(Electrical and Information Technologies, Box 118, SE-22100 Lund, SWE)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 332 号： 1 ページ： 12-16 発行年： 2011年10月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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