文献
J-GLOBAL ID:201102232677230701
整理番号:11A0005075
ヒステリシス性強誘電体トンネルFET
The Hysteretic Ferroelectric Tunnel FET
著者 (6件):
IONESCU Adrian M.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
LATTANZIO Livio
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
SALVATORE Giovanni A.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
DE MICHIELIS Luca
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
BOUCART Kathy
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
BOUVET Didier
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
12
ページ:
3518-3524
発行年:
2010年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)