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文献
J-GLOBAL ID：201102233224786160
整理番号：11A0791126
c面サファイア基板上に成長させた多結晶炭化ケイ素の熱分解で形成した多層エピタキシャルグラフェン
Multilayer epitaxial graphene formed by pyrolysis of polycrystalline silicon-carbide grown on c-plane sapphire substrates
MCARDLE Timothy J.
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
CHU Jack O.
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
ZHU Yu
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
LIU Zihong
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
KRISHNAN Mahadevaiyer
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
BRESLIN Christopher M.
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
DIMITRAKOPOULOS Christos
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
WISNIEFF Robert
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
GRILL Alfred
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 98 号： 13 ページ： 132108 発行年： 2011年03月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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