文献
J-GLOBAL ID:201102233476641963
整理番号:11A0184240
高密度NANDフラッシュメモリのSEEとRID応答におけるスケーリングの影響
Effects of Scaling in SEE and TID Response of High Density NAND Flash Memories
著者 (4件):
IROM Farokh
(California Inst. Technol., CA, USA)
,
NGUYEN Duc N.
(California Inst. Technol., CA, USA)
,
UNDERWOOD Mark L.
(California Inst. Technol., CA, USA)
,
VIRTANEN Ari
(Univ. Jyvaeskylae, Jyvaeskylae, FIN)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
57
号:
6,Pt.1
ページ:
3329-3335
発行年:
2010年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)