文献
J-GLOBAL ID:201102233777638470
整理番号:11A0799885
低駆動電流のためのp-InP基板BH AlGaInAsレーザの25.8Gbps直接変調
25.8Gbps direct modulation of BH AlGaInAs DFB lasers with p-InP substrate for low driving current
著者 (8件):
SAKAINO Go
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TAKIGUCHI Toru
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SAKUMA Hitoshi
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
WATATANI Chikara
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NAGIRA Takashi
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SUZUKI Daisuke
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
AOYAGI Toshitaka
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ISHIKAWA Takahide
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
IEEE International Semiconductor Laser Conference
(IEEE International Semiconductor Laser Conference)
巻:
22nd
ページ:
197-198
発行年:
2010年
JST資料番号:
W1285A
ISSN:
0899-9406
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)