文献
J-GLOBAL ID:201102233957870117
整理番号:11A0401355
歪Si pチャネル金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタにおけるチャネルホットキャリア劣化のプロセシング依存性
Processing dependences of channel hot-carrier degradation on strained-Si p-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistors
著者 (8件):
AMAT E.
(Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP)
,
MARTIN-MARTINEZ J.
(Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP)
,
GONZALEZ M. B.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
RODRIGUEZ R.
(Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP)
,
NAFRIA M.
(Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP)
,
AYMERICH X.
(Electronic Engineering Dep., Edifici Q, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, ESP)
,
VERHEYEN P.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
,
SIMOEN E.
(IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
29
号:
1
ページ:
01AB07
発行年:
2011年01月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)