文献
J-GLOBAL ID:201102234930629465
整理番号:11A0825285
分極接合の概念を用いたGaNを基本にした超ヘテロ接合FET
GaN-Based Super Heterojunction Field Effect Transistors Using the Polarization Junction Concept
著者 (5件):
NAKAJIMA Akira
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
SUMIDA Yasunobu
(POWDEC K.K., Tochigi, JPN)
,
DHYANI Mahesh H.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
KAWAI Hiroji
(POWDEC K.K., Tochigi, JPN)
,
SANKARA NARAYANAN E. M.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
32
号:
4
ページ:
542-544
発行年:
2011年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)