文献
J-GLOBAL ID:201102235963148116
整理番号:11A1485942
交流半導体と磁気活性化ナノ層のδトポロジー帯の挿入構造および磁場と電場におけるそれらのインピーダンスの挙動
Intercalated structures with a δ topological zone of alternating semiconductors and magnetoactive nanolayers and behavior of their impedance in magnetic and electric fields
著者 (3件):
POKLADOK N. T.
(National Univ. L’vov Polytechnic, 79013, L’vov, UKR)
,
GRIGORCHAK I. I.
(National Univ. L’vov Polytechnic, 79013, L’vov, UKR)
,
BUZHUK Ya. M.
(Ivan Franko L’vov National Univ., 79000, L’vov, UKR)
資料名:
Technical Physics
(Technical Physics)
巻:
55
号:
2
ページ:
236-241
発行年:
2010年02月
JST資料番号:
E0952A
ISSN:
1063-7842
CODEN:
TEPHEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)