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文献
J-GLOBAL ID：201102237649377995
整理番号：11A0908002
分子プレカーサー法により形成したp型酸化銅(I)透明薄膜の半導体特性
鈴木達也
(工学院大 工)
,
永井裕己
(工学院大 工)
,
原広樹
(工学院大 工)
,
望月千尋
(工学院大 工)
,
鷹野一郎
(工学院大 工)
,
本田徹
(工学院大 工)
,
佐藤光史
(工学院大 工)
資料名：
日本化学会講演予稿集
(日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 91st 号： 3 ページ： 882 発行年： 2011年03月11日
JST資料番号： S0493A ISSN： 0285-7626 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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