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文献
J-GLOBAL ID：201102237660262369
整理番号：11A1568651
RTN特性を用いたNANDフラッシュセルトラップの新解析方法
A New Approach of NAND Flash Cell Trap Analysis using RTN Characteristics
KANG Daewoong
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Sungbok
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
PARK Hyun-Mog
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Dong-Jun
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
KIM Jun
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
SEO Junho
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Chikyoung
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
SONG Cheol
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Chang-Sub
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
SHIN Hyungcheol
(Seoul National Univ. Dept. of EE, Seoul, KOR)
,
SONG Jaihyuk
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Haebum
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
CHOI Jeong-Hyuk
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
JUN Young-Hyun
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011 ページ： 206-207 発行年： 2011年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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