文献
J-GLOBAL ID:201102238232269231
整理番号:11A0173171
ゾル-ゲルオンチップ過程で形成した低温,高性能溶液法による高性能金属酸化物薄膜トランジスター
Low-temperature, high-performance solution-processed metal oxide thin-film transistors formed by a ‘sol-gel on chip’ process
著者 (7件):
BANGER K. K.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
YAMASHITA Y.
(Panasonic Corp., Osaka, JPN)
,
MORI K.
(Panasonic Europe Ltd., Cambridge, GBR)
,
PETERSON R. L.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
LEEDHAM T.
(Multivalent Ltd, Eriswell, GBR)
,
RICKARD J.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
SIRRINGHAUS H.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名:
Nature Materials
(Nature Materials)
巻:
10
号:
1
ページ:
45-50
発行年:
2011年01月
JST資料番号:
W1364A
ISSN:
1476-1122
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)