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文献
J-GLOBAL ID：201102239673593596
整理番号：11A0131859
バンド調整した電子遮断層によるInGaN/GaN発光ダイオードの正孔注入と効率低下の改善
Hole injection and efficiency droop improvement in InGaN/GaN light-emitting diodes by band-engineered electron blocking layer
WANG C. H.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
KE C. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
LEE C. Y.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
CHANG S. P.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
CHANG W. T.
(Dep. of Electro-Physics, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
LI J. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
LI Z. Y.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
YANG H. C.
(R&D Div., Epistar Co. Ltd., Science-based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan)
,
KUO H. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
LU T. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
,
WANG S. C.
(Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 26 ページ： 261103 発行年： 2010年12月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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