文献
J-GLOBAL ID:201102239781235710
整理番号:11A1508018
超高速金属-絶縁体転移を利用した酸化物エレクトロニクス
Oxide Electronics Utilizing Ultrafast Metal-Insulator Transitions
著者 (3件):
YANG Zheng
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
KO Changhyun
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
RAMANATHAN Shriram
(Harvard Univ., Massachusetts)
資料名:
Annual Review of Materials Research
(Annual Review of Materials Research)
巻:
41
ページ:
337-367
発行年:
2011年
JST資料番号:
D0856A
ISSN:
1531-7331
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)