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文献
J-GLOBAL ID：201102240207442730
整理番号：11A0140702
SiO2/Si3N4二重層ゲート誘電体を持つ高電界効果移動度の底ゲート有機金属化学蒸着ZnO薄膜トランジスタ
High Field-Effect Mobility Bottom-Gated Metallorganic Chemical Vapor Deposition ZnO Thin-Film Transistors with SiO2/Si3N4 Bilayer Gate Dielectric
REMASHAN K.
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
CHOI Y. S.
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
PARK S. J.
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
JANG J. H.
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157 号： 12 ページ： H1110-H1115 発行年： 2010年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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