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文献
J-GLOBAL ID：201102240783850703
整理番号：11A1180170
3次元ICチップスタッキングのためのNi/Sn金属間化合物マイクロバンプ結合でのエレクトロマイグレーション(EM)
Electromigration in Ni/Sn Intermetallic Micro Bump Joint for 3D IC Chip Stacking
LIN Yu-Min
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
ZHAN Chau-Jie
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
JUANG Jing-Ye
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LAU John H.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Tai-Hong
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LO Robert
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
KAO M.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
TIAN Tian
(UCLA, California, USA)
,
TU King-Ning
(UCLA, California, USA)
資料名：
Proceedings. Electronic Components & Technology Conference
(Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 61st Vol.1 ページ： 351-357 発行年： 2011年
JST資料番号： H0393A ISSN： 0569-5503 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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