文献
J-GLOBAL ID:201102241480383602
整理番号:11A1159882
ポケットプロファイル非活性化解析とその原子論的動力学モンテカルロ法を用いたレーザアニールデバイスのVth変動へのインパクト
Analysis of Pocket Profile Deactivation and its Impact on Vth variation for Laser Annealed Device using an Atomistic Kinetic Monte Carlo Approach
著者 (10件):
NODA T.
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
VANDERVORST W.
(IMEC, Leuven, BEL)
,
VANDERVORST W.
(K.U. Leuven, Leuven)
,
VRANCKEN C.
(IMEC, Leuven, BEL)
,
ORTOLLAND C.
(IMEC, Leuven, BEL)
,
ROSSEEL E.
(IMEC, Leuven, BEL)
,
EYBEN P.
(IMEC, Leuven, BEL)
,
ABSIL P.P.
(IMEC, Leuven, BEL)
,
BIESEMANS S.
(IMEC, Leuven, BEL)
,
HOFFMANN T.Y.
(IMEC, Leuven, BEL)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2010
ページ:
383-386
発行年:
2010年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)