文献
J-GLOBAL ID:201102243004429290
整理番号:11A0101411
半導体ナノ構造における無反転増幅:遠赤外およびテラヘルツ光を放射する周波数可変レーザを作製する方法
Inversionless Amplification in Semiconductor Nanostructures: A Way to Create a Frequency-Tunable Laser of Far-Infrared and Terahertz Radiation
著者 (1件):
KUKUSHKIN V. A.
(Inst. Applied Physics, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
44
号:
11
ページ:
1435-1440
発行年:
2010年11月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)