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文献
J-GLOBAL ID：201102243124596548
整理番号：11A1568606
混合イオン-電子導電(MIEC)材料に基づく多層クロスポイントメモリ用新規アクセス素子の耐久性とスケーリング傾向
Endurance and Scaling Trends of Novel Access-Devices for Multi-Layer Crosspoint-Memory based on Mixed-Ionic-Electronic-Conduction (MIEC) Materials
SHENOY R. S.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
GOPALAKRISHNAN K.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
JACKSON B.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
VIRWANI K.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
BURR G. W.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
RETTNER C. T.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
PADILLA A.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
BETHUNE D. S.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
SHELBY R. M.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
KELLOCK A. J.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
BREITWISCH M.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
JOSEPH E. A.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
DASAKA R.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
KING R. S.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
NGUYEN K.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
BOWERS A. N.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
JURICH M.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
FRIZ A. M.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
TOPURIA T.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
RICE P. M.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
,
KURDI B. N.
(IBM Almaden Res. Center, CA)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011 ページ： 94-95 発行年： 2011年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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