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文献
J-GLOBAL ID:201102243374509730   整理番号:11A1619486

化学蒸着による絶縁基板上へのウエハスケールのグラフェン薄層の直接形成

Direct Formation of Wafer Scale Graphene Thin Layers on Insulating Substrates by Chemical Vapor Deposition
著者 (13件):
SU Ching-Yuan
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
LU Ang-Yu
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
LU Ang-Yu
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
WU Chih-Yu
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
LI Yi-Te
(Chung Yuan Christian Univ., Chung-Li, TWN)
LIU Keng-Ku
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
ZHANG Wenjing
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
LIN Shi-Yen
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
JUANG Zheng-Yu
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
ZHONG Yuan-Liang
(Chung Yuan Christian Univ., Chung-Li, TWN)
CHEN Fu-Rong
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
LI Lain-Jong
(Academia Sinica, Taipei, TWN)
LI Lain-Jong
(National Chiao Tung Univ., HsinChu, TWN)

資料名:
Nano Letters  (Nano Letters)

巻: 11  号:ページ: 3612-3616  発行年: 2011年09月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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