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文献
J-GLOBAL ID：201102244217209281
整理番号：11A1393948
低温Kervinプローブ力顕微鏡法により観察されるSi中のPドナーでの単電子充電
Single-Electron Charging in Phosphorus Donors in Silicon Observed by Low-Temperature Kelvin Probe Force Microscope
ANWAR Miftahul
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KAWAI Yuya
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
MORARU Daniel
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
NOWAK Roland
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
NOWAK Roland
(Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL)
,
JABLONSKI Ryszard
(Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL)
,
MIZUNO Takeshi
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TABE Michiharu
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 8,Issue 4 ページ： 08LB10.1-08LB10.4 発行年： 2011年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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