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文献
J-GLOBAL ID:201102244942466680   整理番号:11A1159909

最新のGaN-オン-Si HEMTへの電圧,温度と素子幾何形状依存性に関する総合的信頼性検討

A Comprehensive Reliability Investigation of the Voltage-, Temperature- and Device Geometry-Dependence of the Gate Degradation on state-of-the-art GaN-on-Si HEMTs
著者 (17件):
MARCON D.
(imec, Leuven, BEL)
MARCON D.
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
KAUERAUF T.
(imec, Leuven, BEL)
MEDJDOUB F.
(imec, Leuven, BEL)
DAS J.
(imec, Leuven, BEL)
VAN HOVE M.
(imec, Leuven, BEL)
SRIVASTAVA P.
(imec, Leuven, BEL)
SRIVASTAVA P.
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
CHENG K.
(imec, Leuven, BEL)
LEYS M.
(imec, Leuven, BEL)
MERTENS R.
(imec, Leuven, BEL)
MERTENS R.
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
DECOUTERE S.
(imec, Leuven, BEL)
MENEGHESSO G.
(Univ. Padova, ITA)
ZANONI E.
(Univ. Padova, ITA)
BORGHS G.
(imec, Leuven, BEL)
BORGHS G.
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)

資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

巻: 2010  ページ: 472-475  発行年: 2010年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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