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文献
J-GLOBAL ID：201102244942466680
整理番号：11A1159909
最新のGaN-オン-Si HEMTへの電圧,温度と素子幾何形状依存性に関する総合的信頼性検討
A Comprehensive Reliability Investigation of the Voltage-, Temperature- and Device Geometry-Dependence of the Gate Degradation on state-of-the-art GaN-on-Si HEMTs
MARCON D.
(imec, Leuven, BEL)
,
MARCON D.
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
,
KAUERAUF T.
(imec, Leuven, BEL)
,
MEDJDOUB F.
(imec, Leuven, BEL)
,
DAS J.
(imec, Leuven, BEL)
,
VAN HOVE M.
(imec, Leuven, BEL)
,
SRIVASTAVA P.
(imec, Leuven, BEL)
,
SRIVASTAVA P.
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
,
CHENG K.
(imec, Leuven, BEL)
,
LEYS M.
(imec, Leuven, BEL)
,
MERTENS R.
(imec, Leuven, BEL)
,
MERTENS R.
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
,
DECOUTERE S.
(imec, Leuven, BEL)
,
MENEGHESSO G.
(Univ. Padova, ITA)
,
ZANONI E.
(Univ. Padova, ITA)
,
BORGHS G.
(imec, Leuven, BEL)
,
BORGHS G.
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010 ページ： 472-475 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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