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文献
J-GLOBAL ID：201102245294543352
整理番号：11A0637675
透過型電子顕微鏡による観察の間におけるNiOナノ領域に関する電流電圧特性測定
I-V measurement of NiO nanoregion during observation by transmission electron microscopy
FUJII Takashi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
,
ARITA Masashi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
,
HAMADA Kouichi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
,
KONDO Hirofumi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
,
KAJI Hiromichi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
,
TAKAHASHI Yasuo
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
,
MONIWA Masahiro
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
,
FUJIWARA Ichiro
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
,
YAMAGUCHI Takeshi
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
,
AOKI Masaki
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
,
MAENO Yoshinori
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
,
KOBAYASHI Toshio
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
,
YOSHIMARU Masaki
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 109 号： 5 ページ： 053702 発行年： 2011年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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