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文献
J-GLOBAL ID:201102245294543352   整理番号:11A0637675

透過型電子顕微鏡による観察の間におけるNiOナノ領域に関する電流電圧特性測定

I-V measurement of NiO nanoregion during observation by transmission electron microscopy
著者 (13件):
FUJII Takashi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
ARITA Masashi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
HAMADA Kouichi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
KONDO Hirofumi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
KAJI Hiromichi
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
TAKAHASHI Yasuo
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
MONIWA Masahiro
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
FUJIWARA Ichiro
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
YAMAGUCHI Takeshi
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
AOKI Masaki
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
MAENO Yoshinori
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
KOBAYASHI Toshio
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)
YOSHIMARU Masaki
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama, 222-003, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 109  号:ページ: 053702  発行年: 2011年03月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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