文献
J-GLOBAL ID:201102245710863400
整理番号:11A1269908
単電子トランジスタのサイドゲートバイアスを用いるダイナミック駆動電流
Dynamic Driving Current Using Side Gate Bias of Single-Electron Transistors
著者 (8件):
LEE Joung-Eob
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Garam
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Kyung-Wan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jung-Han
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KANG Kwon-Chil
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jong-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SHIN Hyungcheol
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
7,Issue 1
ページ:
074101.1-074101.5
発行年:
2011年07月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)