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文献
J-GLOBAL ID：201102246248132310
整理番号：11A1937943
MOS構造用に重度のホウ素注入を行なった窒素ドープケイ素膜:シミュレーションとキャラクタリゼーション
Nitrogen doped silicon films heavily boron implanted for MOS structures: Simulation and characterization
MAHAMDI R.
(LEMEAMED, Dep. of Electronics, Univ. Mentouri Constantine, DZA)
,
MAHAMDI R.
(Dep. of Electronics, Univ. Hadj Lakhdar Batna, DZA)
,
MANSOUR F.
(LEMEAMED, Dep. of Electronics, Univ. Mentouri Constantine, DZA)
,
BOURIDAH H.
(Dep. of Electronics, Univ. of Jijel, DZA)
,
TEMPLE-BOYER P.
(CNRS-LAAS; 7 avenue du colonel Roche, F-31077 Toulouse, FRA)
,
TEMPLE-BOYER P.
(Univ. de Toulouse; UPS, INSA, INP, ISAE; LAAS; F-31077 Toulouse, FRA)
,
SCHEID E.
(CNRS-LAAS; 7 avenue du colonel Roche, F-31077 Toulouse, FRA)
,
SCHEID E.
(Univ. de Toulouse; UPS, INSA, INP, ISAE; LAAS; F-31077 Toulouse, FRA)
,
JALABERT L.
(CNRS-LAAS; 7 avenue du colonel Roche, F-31077 Toulouse, FRA)
,
JALABERT L.
(Univ. de Toulouse; UPS, INSA, INP, ISAE; LAAS; F-31077 Toulouse, FRA)
,
JALABERT L.
(LIMMS-CNRS/IIS, The Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13 号： 5-6 ページ： 383-388 発行年： 2010年12月15日
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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