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文献
J-GLOBAL ID：201102249126660632
整理番号：11A1254660
パルス化レーザ蒸着による非晶質基盤における優先配向AIN膜の成長
Growth of preferentially-oriented AlN films on amorphous substrate by pulsed laser deposition
WANG Z.p.
(Dep. of Electric and Electronic System Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN)
,
MORIMOTO A.
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kakuma-machi, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN)
,
KAWAE T.
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kakuma-machi, Kanazawa, Ishikawa 920-1192, JPN)
,
ITO H.
(Dep. of Electric and Electronic System Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN)
,
MASUGATA K.
(Dep. of Electric and Electronic System Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN)
資料名：
Physics Letters. A
(Physics Letters. A)
巻： 375 号： 33 ページ： 3007-3011 発行年： 2011年08月01日
JST資料番号： C0600B ISSN： 0375-9601 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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