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文献
J-GLOBAL ID：201102250075818730
整理番号：11A1024428
c-サファイヤ基板上での六角柱GaNナノ構造体のウエファースケールの領域選択成長
Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate
CHEN X.j.
(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)
,
HWANG J.s.
(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, Inst. Neel-CNRS, 25 rue des Martyrs, BP 166, Fr-38042 ...)
,
PERILLAT-MERCEROZ G.
(CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
PERILLAT-MERCEROZ G.
(CEA, INAC, SP2M, LEMMA, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
LANDIS S.
(CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
MARTIN B.
(CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
LE SI DANG D.
(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, Inst. Neel-CNRS, 25 rue des Martyrs, BP 166, Fr-38042 ...)
,
EYMERY J.
(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)
,
DURAND C.
(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 322 号： 1 ページ： 15-22 発行年： 2011年05月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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