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文献
J-GLOBAL ID：201102250564945303
整理番号：11A1648334
400MB/s非同期トグルDDRインタフェイスを有する21nm高性能64GB MLC NANDフラッシュメモリ
A 21nm High Performance 64Gb MLC NAND Flash Memory with 400MB/s Asynchronous Toggle DDR Interface
KIM Chulbum
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
RYU Jinho
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
LEE Taesung
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KIM Hyeonggon
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
LIM Jeawoo
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
JEONG Jaeyong
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
SEO Seonghwan
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
JEON Hongsoo
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KIM Bokeun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
LEE InYoul
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
LEE DooSeop
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KWAK PanSuk
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
CHO Seongsoon
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
YIM Yongsik
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
CHO Changhyun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
JEONG Woopyo
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
HAN Jin-Man
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
SONG Dooheon
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KYUNG Kyehyun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
LIM Young-Ho
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
JUN Young-Hyun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2011 ページ： 196-197 発行年： 2011年
JST資料番号： W0767A ISSN： 2158-5601 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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