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文献
J-GLOBAL ID：201102252925602573
整理番号：11A1208918
電子サイクロトロン共鳴のプラズマ窒化により作製したGeNx/Ge界面のトラップ密度
Trap density of GeNx/Ge interface fabricated by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation
FUKUDA Yukio
(Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN)
,
OTANI Yohei
(Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN)
,
TOYOTA Hiroshi
(Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
,
ONO Toshiro
(Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 99 号： 2 ページ： 022902 発行年： 2011年07月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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