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文献
J-GLOBAL ID：201102253768873122
整理番号：11A0184914
列並列ΔΣ ADCアーキテクチャを用いた2.1M画素,120フレーム/s CMOSイメージセンサー
A 2.1M Pixels, 120 Frame/s CMOS Image Sensor With Column-Parallel ΔΣ ADC Architecture
CHAE Youngcheol
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
CHEON Jimin
(Samsung Electronics, Yongin-City, KOR)
,
LIM Seunghyun
(Samsung Electronics, Yongin-City, KOR)
,
KWON Minho
(Samsung Electronics, Yongin-City, KOR)
,
YOO Kwisung
(Samsung Electronics, Yongin-City, KOR)
,
JUNG Wunki
(Samsung Electronics, Yongin-City, KOR)
,
LEE Dong-Hun
(Samsung Electronics, Yongin-City, KOR)
,
HAM Seogheon
(Samsung Electronics, Yongin-City, KOR)
,
HAN Gunhee
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 46 号： 1 ページ： 236-247 発行年： 2011年01月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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