文献
J-GLOBAL ID:201102253826570690
整理番号:11A1648379
22nmゲート長,サブ100nmゲートピッチ,および0.08μm2SRAMセルを特徴とするシステムオンチップ用途のETSOI CMOS
ETSOI CMOS for System-on-Chip Applications Featuring 22nm Gate Length, Sub-100nm Gate Pitch, and 0.08μm2 SRAM Cell
著者 (40件):
CHENG K.
(IBM)
,
KHAKIFIROOZ A.
(IBM)
,
KULKARNI P.
(IBM)
,
PONOTH S.
(IBM)
,
HARAN B.
(IBM)
,
KUMAR A.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
ADAM T.
(IBM)
,
REZNICEK A.
(IBM)
,
LOUBET N.
(STMicroelectronics)
,
HE H.
(IBM)
,
KUSS J.
(IBM)
,
WANG M.
(IBM)
,
LEVIN T.M.
(IBM)
,
MONSIEUR F.
(STMicroelectronics)
,
LIU Q.
(STMicroelectronics)
,
SREENIVASAN R.
(IBM)
,
CAI J.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
KIMBALL A.
(IBM)
,
MEHTA S.
(IBM)
,
LUNING S.
(GLOBALFOUNDRIES)
,
ZHU Y.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
ZHU Z.
(IBM SRDC, NY)
,
YAMAMOTO T.
(Renesas)
,
BRYANT A.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
LIN C.-H.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
NACZAS S.
(IBM)
,
JAGANNATHAN H.
(IBM)
,
EDGE L.F.
(IBM)
,
ALLEGRET-MARET S.
(STMicroelectronics)
,
DUBE A.
(IBM SRDC, NY)
,
KANAKASABAPATHY S.
(IBM)
,
SCHMITZ S.
(IBM)
,
INADA A.
(Renesas)
,
SEO S.
(IBM)
,
RAYMOND M.
(GLOBALFOUNDRIES)
,
ZHANG Z.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
YAGISHITA A.
(Toshiba, NY)
,
DEMAREST J.
(IBM)
,
LI J.
(IBM)
,
HOPSTAKEN M.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻:
2011
ページ:
306-307
発行年:
2011年
JST資料番号:
W0767A
ISSN:
2158-5601
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)