文献
J-GLOBAL ID:201102254300114883
整理番号:11A0171894
多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング
Laser Doping at Room Temperature in Multi-crystalline Silicon Solar Cell Process
著者 (5件):
長谷川光洋
(奈良先端科学技術大学院大)
,
平田憲司
(奈良先端科学技術大学院大)
,
高山環
(奈良先端科学技術大学院大)
,
舟谷友宏
(奈良先端科学技術大学院大)
,
冬木隆
(奈良先端科学技術大学院大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
110
号:
351(SDM2010 185-203)
ページ:
25-28
発行年:
2010年12月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)