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文献
J-GLOBAL ID：201102254620968732
整理番号：11A1018455
キャリア加熱のためのセルフブースティングチャネルポテンシャルを使うことによるNANDフラッシュセルのための新しいい低電圧低電力プログラミング法
A Novel Low-Voltage Low-Power Programming Method for NAND Flash Cell by Utilizing Self-Boosting Channel Potential for Carrier Heating
TSAI Wen-Jer
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HUANG J.S.
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
TSAI Ping-Hung
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
YAN S.G.
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHENG Cheng-Hsien
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHENG C.C.
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Yin-Jen
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LEE Chih-Hsiung
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HAN Tzung-Ting
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LU Tao-Cheng
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Kuang-Chao
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LU Chih-Yuan
(Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LU Chih-Yuan
(Ardentec Corp., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58 号： 6 ページ： 1620-1627 発行年： 2011年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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