文献
J-GLOBAL ID:201102254647438506
整理番号:11A1861099
熱サイクルアニールを適用したSOS (Si-on-Sapphire)基板上GaAsエピタキシャル結晶成長層の品質改善
Improvement of Crystalline Quality in GaAs Layer Grown on Thermal Cyclic Annealed SOS
著者 (4件):
門岩薫
(三菱電機(株)高周波光デバイス製作所品質保証部信頼性技術グループ)
,
佐々木肇
(三菱電機(株)高周波光デバイス製作所品質保証部信頼性技術グループ)
,
寺井慶和
(大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻)
,
藤原康文
(大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻)
資料名:
材料
(Journal of the Society of Materials Science, Japan)
巻:
60
号:
11
ページ:
998-1003 (J-STAGE)
発行年:
2011年
JST資料番号:
F0385A
ISSN:
0514-5163
CODEN:
ZARYA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)