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文献
J-GLOBAL ID：201102255414633968
整理番号：11A1643737
低温で電子サイクロトロン共鳴プラズマ窒化により形成した高品位GeNx層でのp型Ge基板の表面パッシベ-ション
Surface passivation of p-type Ge substrate with high-quality GeNx layer formed by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation at low temperature
FUKUDA Yukio
(Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN)
,
OKAMOTO Hiroshi
(Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
,
IWASAKI Takuro
(Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
,
OTANI Yohei
(Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN)
,
ONO Toshiro
(Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 99 号： 13 ページ： 132907 発行年： 2011年09月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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