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文献
J-GLOBAL ID：201102255473016158
整理番号：11A0944063
決定論的単一イオンドーピングのための基板バイアス電圧適用による単一イオン検出効率の増強
Enhancing Single-Ion Detection Efficiency by Applying Substrate Bias Voltage for Deterministic Single-Ion Doping
HORI Masahiro
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SHINADA Takahiro
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
TAIRA Keigo
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
KOMATSUBARA Akira
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ONO Yukinori
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
TANII Takashi
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ENDOH Tetsuo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHDOMARI Iwao
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 4 号： 4 ページ： 046501.1-046501.3 発行年： 2011年04月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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