文献
J-GLOBAL ID:201102255889802616
整理番号:11A0926804
漸増ステップ・パルス・プログラミングに基づく雪崩注入とFowler-Nordheim注入の間の金属-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン・メモリ・セル中のチャージ重心力学
Dynamics of the Charge Centroid in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Memory Cells during Avalanche Injection and Fowler-Nordheim Injection Based on Incremental-Step-Pulse Programming
著者 (4件):
FUJIKI Jun
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
HAIMOTO Takashi
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
YASUDA Naoki
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KOYAMA Masato
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
4,Issue 2
ページ:
04DD06.1-04DD06.6
発行年:
2011年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)