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J-GLOBAL ID：201102257889526247 整理番号：11A1923871

Cr水溶液で洗浄し空気に曝露したp型Si(001)ウエハにおける交流表面光起電力法により同定した非晶質酸化物電荷変化

Anomalous Oxide Charge Variation Identified by Alternating Current Surface Photovoltage Method in Cr-Aqueous-Solution-Rinsed p-Type Si(001) Wafers Exposed to Air

著者 (2件)：

SHIMIZU Hirofumi

(Nihon Univ., Fukushima, JPN)

SANADA Yuji

(Nihon Univ., Fukushima, JPN)

資料名：

Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

巻： 50 号： 11,Issue 1 ページ： 111301.1-111301.4 発行年： 2011年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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